功能描述：MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：60V，100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.7A，500mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 2.5A, 5V, 3.3 欧姆 @ 2.5A, 5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：22pF @ 30V, 7pF @ 30V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：9-VFBGA

供应商器件封装：9-BGA (1.35x1.35)

标准包装：1

EPC2108ENGRT

EPC2801

EPC2815

EPC2818

EPC2C20Q240C8

EPC2L120

EPC2LC20

EPC2LC20CAD

EPC2LC20N

EPC2LC20NUBAF48